此程序用于检测EEPROM性能，测试方法如下：写入24c02一个数据，然后在内存中改变这些数据， 掉电后主内存将失去这些信息，然后从24c02中调入这些数据。看是否与写入的相同。这里用8个LED演示 函数是采用软件延时的方法产生SCL脉冲,固对高晶振频率要作 一定的修改....(本例是1us机器 周期,即晶振频率要小于12MHZ)-This procedure is used to detect EEPROM performance, test methods are as