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  2. This asset originates from the tunneling injection being free of the subthreshold slope limit that fundamentally blocks the MOSFET [3]. Moreover, the limit of low ION in TFETs is wearing off, as drive currents around 100 ìA/ìm have been repor

  3. 所属分类：文档资料

    • 发布日期：2025-06-26
    • 文件大小：927744

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