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  2. Fig. 2 shows the conventional ESD protection design with dual diodes (DPand DN) at RF I/O pad and the power-rail ESD clamp circuit between VDDand VSS[3]. Under positive-to-VDD (PD) or negative-to-VS

  3. 所属分类：编程文档

    • 发布日期：2025-07-24
    • 文件大小：220160

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