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topological insulator in GaN_InN quantum well
- 改代码能够计算GaN_InN 量子阱内的能带结构，该体系为拓扑绝缘体体系，能够计算基本的 能带结构，电子密度分布，边沿态等。。 参看文献： [1]. Dan M, Hu G, Li L, et al. High Performance Piezotronic Logic Nanodevices Based on GaN/InN/GaN Topological Insulator[J]. Nano Energy, 2018. [2]. Miao M S, Yan Q, Van de Wall