文件名称:MOSDriving-circuit

  • 所属分类:
  • 单片机(51,AVR,MSP430等)
  • 资源属性:
  • [WORD]
  • 上传时间:
  • 2012-11-26
  • 文件大小:
  • 482kb
  • 下载次数:
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  • 提 供 者:
  • 李*
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对最流行电路解决方案和他们的性能进行了分析,这包括寄生部分的影响、瞬态的和极限的工作情况。整篇文章开始于对MOSFET技术和开关工作的概述,随后进行简单的讨论然后再到复杂问题的分析。仔细描述了设计过程中关于接地和高边栅极驱动电路、AC耦合和变压器隔离的解决方案。其中一个章节专门来解决同步整流器应用中栅极驱动对MOSFET的要求。-The most popular circuit of the solutions and their performance is analyzed, including the impact of the parasitic part of the transient and the limits of work. Entire article beginning on and switching of MOSFET technology overview, followed by a short discussion and then to the analysis of complex issues. Carefully describes the design process on the ground and the high-side gate drive circuit, AC-coupled and transformer-isolated solutions. One of the chapters devoted to solve the synchronous rectifier applications, the MOSFET gate drive requirements.
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高速MOS驱动电路设计和应用指南.doc

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