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msp169
- 使用MSP430设计的流量计代码，有RTC,铁电-MSP430 design flowmeter using the code, there are RTC, ferroelectric
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- 铁电存储器FM25L256的驱动程序.建议编辑环境：UltraEdit 11.00a+ 制表符宽度为三个字符，程序可读性更好。-FRAM FM25L256 drivers. Recommends editing environment: UltraEdit 11.00a+ tab width of three characters, the program better readable.
AMethodforDSPSPIBootloaderBasedonFerroelectricRAMP
- 介绍了一种SPI 接口的新型铁电存储器FRAM，同时还分析了TMS320VC5402 DSP 的SPI 引导装载模式，提出了一种基于FRAM 编程技术的DSP 脱机独立运行系统 的设计方案。-This paper introduces a new SPI interface, ferroelectric memory, FRAM, and also analyzed the TMS320VC5402 DSP' s SPI
SpiReadFM24C64
- 测试铁电FM25CL64的SPI读写驱动程序，采用KEIL51编译程序，速度很快，寿命长，可以替代EEPROM和RAM。-FM25CL64 SPI write code use C51
C_V
- 用来描述铁电存储器MFIS-FET结构的C-V（即电容-电压）关系-Used to describe the ferroelectric memory MFIS-FET structure of CV (ie capacitance- voltage) relationship
on_off
- 铁电存储器MFIS-FET结构开态电流和关态电流的描述-FRAM MFIS-FET structure of open state current and off current descr iption
hysteresis_loop
- 描述铁电薄膜的极化与电场关系（即电滞回线图）-Descr iption of ferroelectric thin films hysteresis loops
memory_er
- 描述铁电薄膜的存储窗口与铁电介电常数的关系-Describe the ferroelectric thin film ferroelectric memory window and the relationship between dielectric constant
memory_pr_ps
- 描述铁电存储器MFIS-FET结构饱和极化和剩余极化对存储窗口的影响-Descr iption FRAM MFIS-FET structure of saturated polarization and remanent polarization effects on the storage window
id_Vg_v_as_param_new
- 在存在界面层的情况下，铁电存储器MFIS-FET结构漏极电流随界面层厚度变化的关系-Interface layer in the presence of the case, ferroelectric memory, MFIS-FET structure, the drain current with changes in the relationship between the interface layer thickness
DSP2812_fm25cl64
- DSP 2812_fm25cl64,很好的2812和铁电存储芯片相结合，大家可以看一看-DSP 2812_fm25cl64, It is very good at 2812 and combining ferroelectric memory chips,。
tiedian
- 使用stm32的铁电存储器操作函数，铁电存储器写入速度快，无传输等待-The ferroelectric memory using stm32 operating function, ferroelectric memory writes speed, no transfer wait
VRS51L3xxx_ds
- 这是铁电单片机的数据手册，很有用的，用到铁电单片机的朋友看看哈-This is a ferroelectric single chip data sheet, very useful, used in ferroelectric single chip friend to see Kazakhstan
VRS51L3074sample
- ８位铁电存储器 ＭＰＵVRS51L3074 例程-8-bit ferroelectric memory MPUVRS51L3074 routine
FM25L256MSP430Dirve
- 用MSP430写的铁电存储器FM25L256驱动程序 第一版-Written with the MSP430 driver ferroelectric memory FM25L256 first edition
80C51_4
- 4.3典型外部数据存储器的使用；4.4用铁电存储器扩展外部数据存储器；4.5 I2C接口EEPROM——AT24C512；4.6 SPI接口EEPROM的控制；4.7FLASH存储器K9F6408U0A的控制；4.8IC_CARD-4.3 A typical use of external data memory 4.4 Ferroelectric memory expansion with external data memory
fm31xx
- fm31xx铁电通讯、设置函数，包括时间结构体设置等-fm31xx ferroelectric communication, set functions, including the time structure settings
AVR-control-sst25vf010Pfm25l256
- 前几天刚好需要用到一个SPI的flash芯片，但是后来担心flash芯片的寿命问题（也不知道这个担心会不会多余！）。就又干脆整了一个铁电存储器！ 在这里把测试操作SST25VF010和FM25L256的代码共享出来！ 测试芯片采用的是ATMEGA64，代码是用CVAVR编写的。 写得不好的地方还望大家多指正！ 硬件接口电路没什么好说的: flash MEGA64 WP和HOLD上拉
FM24cl04
- 使用硬件I2C对铁电存储器进行操作，利用中断方式操作。 向FM24CL04中0x03地址写入100字节数据，并检验，如果检验成功则蜂鸣器响一下，否则不断报警 铁电FM24CL04，封装和普通的E2PROM一致，读写方式和E2PROM均采用I2C总线，和E2PROM不同的是 铁电存储器可以当成是RAM来使用，可以说是串行的RAM，可以随机的读写-Use hardware I2C operation of ferr
ADPI2CPCAN
- LPC1766芯片的SPI接口与AD7910模数芯片通信采集AD数据；IIC接口外接铁电存储器存储永久数据；CAN口用于与上位机通过CAN通信。-LPC1766 chip SPI interface to communicate with the AD7910 chip module data acquisition AD IIC interface to external memory to store permanent data